三星将与台积电共同生产英伟达下一代定制 HBM，基底芯片采用 3nm 工艺
深潮 TechFlow 消息，10 月 18 日，据《首尔经济》报道，三星电子在开发英伟达下一代定制高带宽内存 NVHBM 时，将采用台积电 3nm 工艺生产核心组件 Base Die。英伟达同时要求三星、SK 海力士和美光统一采用台积电 3nm Base Die，并将 Core Die 统一为第六代 DRAM 1c 工艺，以提升不同供应商产品的一致性。
分享至：
相关阅读
NIP Group 拟发行 2.471 亿股收购 4.47 EH/s 矿机，总算力预计达 13.85 EH/s
吴说区块链 快讯与深度 · 5分钟前
SpaceX 2026 Q3 财报：营收同比增长 161%，净利润 44.04 亿美元
吴说区块链 快讯与深度 · 16分钟前
Bitwise与Hyperliquid寻求美国证交会修改代币交易与空投规则
哈希视野翻译整理 · 16分钟前
美官员称特朗普特使与泽连斯基等会谈具建设性
深潮 TechFlow · 21分钟前
管理7.8万亿美元资产的Fidelity：永续优先股成BTC最新需求催化剂，已推动购入超13.5万枚BTC
Odaily 星球日报 快讯 · 23分钟前
CFTC就散户数字资产交易框架征求意见，拟新增“加密资产市场”交易所类别
Odaily 星球日报 快讯 · 24分钟前
以上内容不构成投资建议。
本文为来源作者的观点，不代表哈希视野（HASHVUE）的立场，不承担法律责任，图片如有侵权，请联系作者删除。